报告题目：Band bending in semiconductors

报告人：刘慧如（SF09）

报告简介：能带弯曲在半导体体系中是一种十分基础又普遍的现象，它直接来源于静电势场作用，广泛存在于半导体界面和表面，在诸多方面的研究中都表现出不可忽视的作用和影响，如物理外场、表面界面异质结体系、分子吸附等等，并且能够显著影响我们很多常用的实验表征技术的数据呈现结果。本次报告将由表面九组的刘慧如向大家介绍关于半导体材料中能带弯曲的形成机制和常用实验表征方法，以及在相关表面物性分析过程中能带弯曲的具体应用示例。