基于半导体的传统微电子工业面临越来越多的技术和基础科学问题挑战。复杂过渡金属氧化物中由于存在晶格、电荷、自旋与轨道等多种自由度及其耦合作用，对掺杂、外场等表现出灵敏的响应；特别是通过人工设计构筑的氧化物低维结构中还可能存在与体相材料相关却又截然不同的“演生”现象，这为人工调控多种量子态、进而发展新型多功能氧化物电子器件提供了可能性。本组的研究方向针对氧化物界面电子学这一新兴领域展开，一方面发展氧化物薄膜、异质结等人工低维纳米结构的制备方法，通过原子级精度的生长控制实现对其电子结构的可靠调控，另一方面研究复杂氧化物表面与人工低维结构新奇量子效应的产生机理，进而探索其调控的方法与原理，为多功能氧化物电子器件的发展打下物理基础。

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