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报告题目：A Brief Introduction of Spintronics
报告人：姚一锟（SF05）
报告简介：自旋电子学自1986年巨磁阻效应发现开始，在短短的三十年中发展迅猛。本报告将从介绍如何构造一个自旋电子学器件开始，依次叙述如何产生“净自旋”，以及如何利用产生的“净自旋”影响电子学器件两个主要部分。产生“净自旋”的方法很多，最基本地，外加磁场即可使磁性材料中的电子自旋极化，从而产生静态的“净自旋”。另一种更有价值的动态“净自旋”——自旋流则可通过自旋轨道耦合诱导的自旋霍尔效应产生。在拥有这样的一种“净自旋”后，我们便可以通过它影响电子学器件的功能，如巨磁阻效应于自旋转移力矩效应。自旋转移力矩效应是继巨磁阻效应发现后，自旋电子学领域的又一重大发现，它打破了使用磁场操控磁化矢量方向的传统模式，开创性地提出一种采用自旋极化的电流直接操控磁矩方向的物理新理念，为开发新型自旋电子器件翻开了崭新的一页。作为结尾，本报告将会探讨当今自旋电子学器件是否充分利用电子的自旋属性这一问题，并简要介绍作为单个原子电子自旋研究的一种利器——ESR-STM。 |
