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吴克辉 研究员

Tel: 010-82648130

Email: khwu(at)iphy.ac.cn

1973年10月生。1995年浙江大学物理系毕业。2000年在中科院物理所获得博士学位。2000年到2004年在日本东北大学金属材料研究所任博士后及助理教授。2004年10月受中科院“百人计划”支持回国,任物理所表面室研究员、表面9组课题组长。

主要研究方向:低温扫描隧道显微镜(STM)/扫描隧道谱(STS),分子束外延手段原位、原子尺度研究新型量子材料的生长、物性和新奇量子效应,目前感兴趣的方向有:
1. 新型拓扑绝缘体材料的探索和合成
2. 新型层状低维材料的合成和奇异量子效应
4. qplus型极高分辨非接触AFM、应力调控STM、低温强磁场STM技术的研发。

过去的主要工作及获得的成果:
过去几年中,在新型量子材料的生长、物性研究方面取得了一系列工作成绩,包括:
(1) 在三维拓扑绝缘体材料的制备和输运性质调控方面进行了开创性的工作,包括最先采用MBE方法获得Bi2Se3类拓扑绝缘体单晶薄膜;发明了采用高介电常数的钛酸锶(STO)衬底生长拓扑绝缘体薄膜的方法;最先在输运方面利用电场调控拓扑绝缘体的输运性质,并报道拓扑绝缘体中的输运的反弱局域效应;利用拟合α因子来鉴别拓扑输运性质的方法。
(2)在硅基的二维Dirac电子材料,即硅烯研究方面做出了一系列开创性的工作,引起国际广泛关注,其中包括:首先在实验上获得硅烯;发现硅烯中一系列新奇物性,包括线性色散、六角翘曲的Dirac锥、背散射抑制、低温相变、类超导能隙等。这些结果对于开辟将传统的硅工业与自旋电子学和量子计算相结合的新研究领域有重要意义。
(3) 在国际上率先实验合成硼墨烯(borophene),为硼墨烯领域奠定实验基础。
(4) 自主设计制作国产超高真空低温STM/STS系统,研发了一系列自有技术和设备。目前,研发的国产超高真空低温(4K)STM/STS已经产品化上市,填补了国内在高端STM产品上的空白。

共发表SCI论文100多篇,SCI总引用超过3200次,第一或通讯作者论文单篇他引超过100次的7篇,有2篇论文入选ESI“热点高被引论文”,另外7篇论文入选ESI“高被引论文”。 曾获2009年北京市科技奖一等奖、2011年中国科学院杰出科技成就奖(突出贡献者)。

代表性论文(通讯作者或第一作者)
1. Rise of silicene: A competitive 2D material
Jijun Zhao, Hongsheng Liu, Zhiming Yu, Ruge Quhe, Si Zhou, Yangyang Wang, Cheng Cheng Liu, Hongxia Zhong, Nannan Han, Jing Lu, Yugui Yao and Kehui Wu
Prog. Mater. Sci. 83, 24(2016) (citation: 64

2. Experimental realization of two-dimensional boron sheets
Baojie Feng, Jin Zhang, Qing Zhong, Wenbin Li, Shuai Li, Hui Li, Peng Cheng, Sheng Meng, Lan Chen & Kehui Wu
Nature Chemistry 8, 563(2016) (citation: 117

3. Ordered and Reversible Hydrogenation of Silicene
Jinglan Qiu, Huixia Fu, Yang Xu, A. I. Oreshkin, Tingna Shao, Hui Li, Sheng Meng, Lan Chen and Kehui Wu
Physical Review Letters 114, 126101(2015) (citation: 39

4. Spontaneous Symmetry Breaking and Dynamic Phase Transition in Monolayer Silicene
Lan Chen, Hui Li, Baojie Feng, Zijing Ding, Jinglan Qiu, Peng Cheng, Kehui Wu and Sheng Meng
Physical Review Letters. 110, 085504 (2013) (citation: 137

5. Evidence for Dirac Fermions in a Honeycomb Lattice Based on Silicon,
Lan Chen, Cheng-Cheng Liu, Baojie Feng, Xiaoyue He, Peng Cheng, Zijing Ding, Sheng Meng, Yugui Yao, and Kehui Wu,
Physical Review Letters 109, 056804(2012) (citation: 403)

6. Evidence of Silicene in Honeycomb Structures of Silicon on Ag(111),
Baojie Feng, Zijing Ding, Sheng Meng, Yugui Yao, Xiaoyue He, Peng Cheng, Lan Chen, and Kehui Wu,
Nano Letters 12,3507(2012) (citation: 549 )

7. Growth of topological insulator Bi2Se3 thin films on SrTiO3 with large gate-voltage-tunable chemical potential,
G.H. Zhang, H.J. Qin, J. Chen, X.Y. He, Y.Q. Li and K.H. Wu,
Adv. Func. Mater. 21, 2351(2011) (citaion: 61 )

8. Gate-Voltage Control of Chemical Potential and Weak Anti-localization in Bi2Se3,
J. Chen, H. J. Qin, F. Yang, J. Liu, T. Guan, F. M. Qu, G. H. Zhang, J. R. Shi, X. C. Xie, C. L. Yang, K. H. Wu,Y. Q. Li, and L. Lu,
Physical Review Letters 105, 176602(2010) (citation: 336 )

9. A laterally tunable plasmon resonance in supported bi-atomic-layer Ag nanodisks,
Huajun Qin, Yi Gao, Jing Teng, Hongxing Xu, Kehui Wu and Shiwu Gao
Nano Letters 10, 2961( 2010)

10. Quintuple-layer epitaxy of thin films of topological insulator Bi2Se3,
Guanhua Zhang, Huajun Qin, Jing Teng, Jiandong Guo, Qinlin Guo, Xi Dai, Zhong Fang, and Kehui Wu,
Appl. Phys. Lett. 95, 053114 (2009) (citation: 184)

11. Na adsorption on the Si(111)-(7x7): From two dimensional gas to nanocluster Array,
Kehui Wu, Y. Fujikawa, T. Nagao, Y. Hasegawa, K.S. Nakayama, Q. K. Xue, E. G. Wang, S. B. Zhang, T. Briere, V. Kumar, Y. Kawazoe, and T. Sakurai
Physical Review Letters. Vol. 91, No. 12, 126101(2003) (citation: 107)

目前的研究课题及展望
作为负责人承担科技部973课题、基金委重点项目、以及中科院先导B、创新项目、基金委面上项目等多项研究。

培养研究生情况:已培养毕业10名博士生并得到良好就业,目前在读研究生10名。拟每年招收1-2名研究生。课题组实验条件优越、仪器设备充裕、学术气氛宽松、欢迎报考。对于选择我们的学生,我们有教无类,尽心培养。报考者务必热爱研究,禁止混吃等死。

联系电话: 010-010-82648130
E-mail: khwu@iphy.ac.cn

 

 

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