江南: 1952年出生于江苏省南通市,1980年毕业于天津大学精密仪器系,1983年在清华大学无线电电子学系获硕士学位,1993年在法国巴黎XI大学获博士学位。2001年在东南大学被评为教授。现在中科院物理研究所工作。社会活动方面任中国真空学会副理事长,他近年来主要从事低温等离子体工艺和低温等离子体特性的研究。在低温等离子体工艺方面,他在法国汤姆逊公司的资助下所做的工作非常出色。他不仅改进了原来的工艺,采用分布式电子回旋共振等离子体在不加热基片的条件下获得了非常高质量的SiO2场栅薄膜(汤姆逊公司采用了他的工艺),而且第一次全面地研究了薄膜材料生长时基片加射频偏压对薄膜在沉积特性、化学特性、电子学特性以及表面形貌、界面特性等方面的影响。此后,他还自己搭建了多晶硅薄膜材料缺陷测试仪,对多晶硅薄膜的等离子体氢化工艺进行了研究。回国后,他积极筹建等离子体工艺实验装置。他所建装置不仅可以用于等离子体工艺研究,而且还能对等离子体本身进行在线检测。这样的装置在国内还很少见,所用方法被Review of Scientific Instruments的审稿人认为具有创新性。近年来,他在介质阻挡放电(DBD)方面也进行了广泛的理论与实验研究,并首次采用流光放电DBD方法制备出碳纳米管。
About Publications

1.Jiang Nan,Chen Han-Yuan,Qian Sheng-Fa,A Novel Reactive Gas Source and Its Application to Carbon Naotube Film Deposition,CHIN.PHYS.LETT.22161(2005).(PDF)

2.Nan Jiang, Ning Zhao, Hongfei Liu, Tongzhen Fang,Mass-resolved retarding field energy analyzer and its measurement of ion energy distribution in helicon plasma, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 229 508(2005).(PDF)