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| 201610（14） |
| The author: SF00 |
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Title：Field Effect Transistor
Speaker：Liang Zhu（SF01）
Abstract：在20世纪30年代初期，Lilienfeld 和 Heil首次提出了场效应晶体管（Field Effect Transistor）的基本构想。随后由贝尔实验室的肖克利、布拉顿和巴丁所发明。目前，Si基场效应晶体管已经广泛的应用于大规模集成电路当中，但随着技术的不断进步，晶体管的集成密度越来越大、尺寸越来越小，短沟道效应和量子尺寸效应显示了突出的问题。本此报告将结合场效应晶体管的基本原理和特性，对近些年一些新奇的场效应晶体管（1D2D FET、junctionless FET等）进行详细介绍，期待大家的参与。 |
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| Time: 2016-10-28 |
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