|
报告题目：Field Effect Transistor
报告人：朱亮（SF01）
报告简介：在20世纪30年代初期，Lilienfeld 和 Heil首次提出了场效应晶体管（Field Effect Transistor）的基本构想。随后由贝尔实验室的肖克利、布拉顿和巴丁所发明。目前，Si基场效应晶体管已经广泛的应用于大规模集成电路当中，但随着技术的不断进步，晶体管的集成密度越来越大、尺寸越来越小，短沟道效应和量子尺寸效应显示了突出的问题。本此报告将结合场效应晶体管的基本原理和特性，对近些年一些新奇的场效应晶体管（1D2D FET、junctionless FET等）进行详细介绍，期待大家的参与。 |
