报告人：徐阳（SF09）

报告简介：随着大规模集成电路中晶体管的集成数量越来越高，相应的晶体管的尺寸也极具下降。目前以硅基为主的晶体管其工艺水平已达到14nm，距离理论极限7nm已十分接近。为了延续摩尔定律，需要寻找一种新型的材料替代硅。而2004年发现的石墨烯，因其独特的结构（二维），室温下超高的迁移率，低于铜和银的电阻率等而引起半导体工业的关注，将其视为可替代硅的材料。本报告将具体讲解石墨烯晶体管的性能，发展状况以及基于石墨烯的新型半导体器件。