物理半月谈 -- 详细信息  
201610(14)
作者:SF00

报告题目:Field Effect Transistor

报告人:朱亮(SF01)

报告简介:20世纪30年代初期,Lilienfeld Heil首次提出了场效应晶体管(Field Effect Transistor)的基本构想。随后由贝尔实验室的肖克利、布拉顿和巴丁所发明。目前,Si基场效应晶体管已经广泛的应用于大规模集成电路当中,但随着技术的不断进步,晶体管的集成密度越来越大、尺寸越来越小,短沟道效应和量子尺寸效应显示了突出的问题。本此报告将结合场效应晶体管的基本原理和特性,对近些年一些新奇的场效应晶体管(1D2D FETjunctionless FET等)进行详细介绍,期待大家的参与。
发表于:2016-10-28
 
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